円星推28奈米Flash製程IP

圖說:円星科技在台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術(TSMC 28nm Embedded Flash Process)所開發的SRAM Compiler矽智財解決方案,能為行動裝置、電源管理、物聯網、車用電子應用強化SoC設計的功耗表現。

圖說:円星科技在台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術(TSMC 28nm Embedded Flash Process)所開發的SRAM Compiler矽智財解決方案,能為行動裝置、電源管理、物聯網、車用電子應用強化SoC設計的功耗表現。

円星科技(M31)宣布,將在台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術 (TSMC 28nm Embedded Flash Process) 開發SRAM Compiler IP,這些IP解決方案將能協助設計人員提升在行動裝置、電源管理、物聯網,車用電子等應用的SoC功耗表現。此系列矽智財預計於今年第3季提供客戶設計整合使用。

 M31円星科技董事長林孝平表示,「隨著網路傳輸頻寬的不斷加大,資料運算與儲存需求日增。円星科技在台積電領先業界的28奈米嵌入式快閃記憶體製程開發的IP,除了可以縮短設計週期,同時能降低SoC功耗並提高效能,可廣泛應用於高速的資料處理、電源管理,物聯網、車用電子,以及行動通訊等產品的設計上」。

 台積電設計建構行銷事業處資深處長Suk Lee表示,「嵌入式快閃記憶體技術對於支援智慧行動,汽車電子和物聯網等廣泛應用至關重要。藉由M31與台積電28奈米嵌入式快閃製程技術努力合作開發的IP,將有助於設計人員優化SoC,實現速度,面積和功耗之間的成功平衡。」

此次M31円星科技以台積電28奈米嵌入式快閃記憶體製程技術開發的SRAM Compiler IP功能齊全,支援多種節能模式, 使用者可依據不同操作狀態,切換到當下最佳省電模式,來延長行動元件電池的使用時間,以提供客戶更多元的產品運用。基於優異的技術特性,此系列IP可以完全整合在嵌入式快閃記憶體製程平台上,預計今年第3季提供知名國際大廠採用。

未來M31円星科技將持續投入各項先進製程技術的IP開發與驗證,為全球晶片設計產業提供獨特的矽智財解決方案。

 




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