NAND Flash控制晶片迎1X奈米時代

圖說:群聯董事長潘健成CFMS 2018演講,NAND Flash控制晶片迎接1X奈米時代墊高後來者進入門檻(Wa-People影像中心)

圖說:群聯董事長潘健成CFMS 2018演講,NAND Flash控制晶片迎接1X奈米時代墊高後來者進入門檻(Wa-People影像中心)

全球快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片及儲存解決方案廠商群聯電子(Phison)董事長潘健成19日受邀於CFMS 2018 (中國閃存市場峰會)進行演說,潘健成表示,NAND Flash控制晶片進入非常昂貴的1x奈米等級的晶圓製造階段、加計3D NAND驗證成本高於2D,種種IC開發現況看地出來,除了墊高IC設計後來者的進入門檻,若單單只做IC設計的生意其獲利是大不如從前,然而,這現況卻能凸顯群聯電子的優勢。

群聯電子過去18年來透過策略合作方式實現了IC設計一條龍的成功商業模式,未來,將更加積極接納全球各種策略性夥伴,期能攜手夥伴們在5G、物聯網、車聯網、以及人工智慧等多項創新科技共同搶攻海量資訊的儲存商機。

全球快閃記憶體產業界一年一度在大陸的盛大高峰會於19日在深圳正式展開,包括美光、英特爾、長江存儲、紫光存儲、西部數據、三星等各大國際快閃記憶體原廠皆參與該盛會,並同台為快閃記憶體前瞻性之技術發表看法及現況,今年現場參與之產業人士逾1,500人,創下人次新高。群聯電子創辦人暨董事長潘健成今年首度出席,並以「內存-閃存-存儲 前世、今生、展望」為題向產業內人士進行演說,闡述其投身記憶體產業近18年來的產業觀察。

潘健成演說時表示,「NAND Flash正式進入3D製程發展,其相關控制晶片之晶圓製造製程則在近兩年正式進入1x奈米時代,因此NAND Flash控制晶片的設計愈加複雜、所需要運用的人力及銀彈等資源耗費較市場成長的幅度來地高,以目前全球PCIe規格效能跑分評鑑最佳的群聯電子SSD控制晶片PS5012-E12來看,該顆晶片的成功除了累積數十年的功力外,在研發人力、時間、設計工具、晶圓先進製程光罩費、3D NAND驗證費…等等資源全數換算為可被評價的費用,總計超過1.55億人民幣(約當新台幣6.6億元),相較18年前群聯電子初創業時的環境所需投入成本的多了好幾倍。

當今快閃記憶體的現況,對控制晶片設計業者而言,除了上述的軍備戰的競爭形成技術進入障礙,另方面,NAND Flash製造之國際原廠相繼提高自給設計的控制晶片案量,因此整體市場獨立晶片廠的控制晶片的市場規模的成長幅度是低於儲存容量需求的成長率,所以,控制晶片取得的獲利也變薄、這對剛剛要跨入快閃記憶體IC設計這一行業者而言是進入門檻被墊高,簡言之,如今若只賣IC,這生意不好做,要賺錢變得更困難。




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