為5G手機備戰 群聯UFS 3.0控制晶片

圖說:2018 FMS 快閃記憶體高峰會,群聯推出最新PS8317控制晶片,為5G手機備戰。

圖說:2018 FMS 快閃記憶體高峰會,群聯推出最新PS8317控制晶片,為5G手機備戰。

全球快閃記憶體產業年度盛會2018 FMS (2018年Flash Memory Summit;快閃記憶體高峰會) 於美國聖塔克拉拉市正式開展,作為快閃記憶體 (NAND Flash) 控制晶片解決方案廠商群聯電子將在該次國際盛會上展示多項控制晶片及儲存解決方案,其中符合近期筆電廠擴大SSD滲透率的入門級SSD控制晶片PS5008-E8T、以及為5G旗艦智慧型手機備戰的高階UFS 3.0控制晶片PS8317備受關注。

2018年上半年適逢NAND Flash價格回檔修正期,同時也是各大NAND Flash原廠快速擴大3D NAND Flash市占率的關鍵時機,群聯電子掌握機會取得多家原廠3D NAND Flash認證,受惠於過去與各大國際原廠多年技術合作經驗,包括在64層、96層的MLC、TLC、QLC等次世代多項規格的3D NAND Flash,群聯電子皆已率先取得測試認證,並適時推出多項符合市場應用的多項SSD控制晶片包括有PS5012-E12/S12、PS5008-E8/E8T; 另有eMMC/UFS控制晶片包括有PS8226、PS8313以及最新的UFS控制晶片PS8317,完整的產品策略。UFS次世代UFS 3.0規格技術抵定,群聯電子亦同步推出符合該規格之控制晶片設計PS8317,持續保持在UFS技術上領先地位。

群聯電子董事長潘健成表示:「目前智慧型手機/平板仍以eMMC為主流,然而隨著4K甚至8K的影音需求將至,甚至是5G提前在明年開始商用化的進程來看,UFS將像是智慧型行動裝置裡的SSD般將因為更符合使用者對速度的要求而成為5G手機、AI應用、智慧車時代的新主流記憶體規格。群聯電子技術卓然能再度領先同業提前推出最新技術規格的UFS控制晶片PS8317,也將再度助力各大國際智慧行動裝置包括手機及平板的品牌客戶搶先卡位。」

群聯電子快閃記憶體控制晶片PS8317簡述:

  • UFS 3.0、HS-Gear 4、雙通道介面與傳輸
  • 獨有的CoXProcessor 2.0架構承襲 PCIe SSD架構的設計理念,減少系統延遲、提升隨機存取速度至PCIe SSD等級
  • 自行開發M-PHY 4.1 實體層,UniPro 1.8 & UFS 3.0 IP
  • 支持3D NAND、八組NAND顆粒,容量最大達512GB
  • 獨家低功耗第四代SMART ECC技術,強化解碼效能,保障 96層及次世代的3D NAND可靠度
  • 在四顆 3D NAND 同時運作下,連續讀/寫速度達到1800/820 MB/s;

隨機讀/寫速度達到100K/160K IOPS*

*內部實測數據不含作業系統,搭配手機晶片速度可能因不同平台而異




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