竹科研發精進計畫 催生新型6吋複合晶圓

圖說:8吋高耐壓E-mode GaN on Si 晶圓/6吋高耐壓E-mode GaN on Novel SOI晶圓

圖說:8吋高耐壓E-mode GaN on Si 晶圓/6吋高耐壓E-mode GaN on Novel SOI晶圓

透過科技部竹科管理局106年度科學園區研發精進產學合作計畫的支持,環球晶圓、交通大學光電工程研究所郭浩中教授以及國家奈米元件實驗室(NDL)共同合作,從基板、晶圓接合、磊晶到E mode HEMT元件製程及驗證技術,發展具優良動態特性的6吋複合晶圓高耐壓E-mode GaN on Novel SOI HEMT技術,開發品質更佳、成本更低、產能倍增之前瞻性產品,並提供業界與學界有一個III-V化合物的製程平台,加速化合物半導體發展。

本計畫完成高阻晶體生長,並以AlN為絕緣層,搭配高強度基板作為Handle wafer完成開發高強度、高絕緣特性與散熱佳之新型SOI(AlN)基板;運用磊晶應力調整技術,磊晶後基板bow<10um,3um GaN on SOI(AlN)結構可達到傳統5um GaN on bulk Si之耐壓能力;結合低損傷蝕刻製程,以及導入電漿表面處理及新式閘極介電層,成功克服閘極掘入式製程E-mode元件閘極漏電的難題,其動態特性有明顯的改善,開啟電阻的變化率減少至7.67%。


圖說:環球晶圓股份有限公司研發成果驗收

環球晶圓為世界前三大半導體矽晶圓材料供應商,也是世界唯一同時具有矽基板相關技術與氮化鎵磊晶技術之公司。藉由矽基板與氮化鎵磊晶技術創新與垂直整合,除具有成本優勢外,也能增加台灣在氮化鎵元件之技術能力與競爭力。環球晶圓除了提供矽晶圓外,也將提供次世代高功率、高頻市場與第五代通訊(5G)應用所需之特殊基板,成為全方位半導體材料供應商。




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