群聯第四代SmartECC 支援3D QLC

圖說:群聯電子董事長潘健成(產業人物 Wa-People 影像中心)

圖說:群聯電子董事長潘健成(產業人物 Wa-People 影像中心) 

個人資料量隨著照片、影音、遊戲的儲存需求只增不減,全球儲存消費者正朝向TB世代邁進,而日系及美系兩大國際快閃記憶體製造廠不約而同在今年開始推出QLC快閃記憶體(NAND Flash)高密度記憶體容量的3D NAND Flash以加速TB世代的來臨,有鑑於市場強勁需求,群聯電子宣佈,包括USB、記憶卡、eMMC/UFS、SSD等快閃記憶體控制晶片皆全面支援QLC規格,並正式推出第四代SmartECC以發揮QLC之極致效能,讓儲存產品的,記憶容量,讀寫延遲與儲存品質達到完美平衡。

QLC(四階儲存單元)NAND Flash技術具備高密度容量特性,相較於TLC(三階儲存單元)規格的NAND的位元密度約高出3成以上,因此QLC規格產品的推出,將有助於帶動TB (terabyte)等級大容量儲存裝置的普及化。群聯累積18年的快閃記憶體控制晶片自主設計開發經驗,與快閃記憶體製造廠共同研發支援高密度記憶體單元的快閃記憶體,包括從SLC、MLC、TLC至今日的QLC規格,具備完整晶片設計之自有技術,其中,控制晶片差異化特性的NAND Flash ECC(Error Correction Code)的糾錯效能,群聯持續研發SmartECC技術,使用群聯控制晶片搭配任何NAND Flash皆可以提升資料保護的效能,為了發揮QLC最大效能,群聯也特別推出第四代SmartECC。

群聯SmartECC之資料糾錯保護機制為,當資料被寫入到NAND Flash內部時,控制器同時會產生一組校正碼與資料一起存入,資料從NAND讀回時若發生錯誤,控制晶片會透過校正碼更正資料,若發生的錯誤無法透過ECC校正碼成功更正,這筆資料就會進入SmartECC的補救流程, 藉由特別設計的SmartECC演算法修正資料, 提昇資料可靠性。

群聯全系列產品包含SSD, eMMC/UFS, 記憶卡及USB控制晶片均支援QLC規格NAND Flasha。




留言