盧志遠獲科技管理獎

圖說:旺宏電子總經理盧志遠榮獲科技管理獎。

圖說:旺宏電子總經理盧志遠榮獲科技管理獎。

旺宏電子總經理盧志遠榮獲第十九屆中華民國科技管理學會「科技管理獎」。中華民國科技管理學會12月1日由理事長吳思華頒贈「科技管理獎」予盧志遠,以表彰他在科技管理上的傑出表現。除了對國內半導體產業具有卓越貢獻,在國際學術界也備受推崇,為學術研究與產業發展均有優異表現的跨界人才。 


盧志遠長期投身於科技創新及尖端研發,不但是位傑出科研專家,且又能具體實踐應用。他早於1980年代中期於美國AT&T Bell Labs領導研究計畫時,即曾研發高達600V之BCDMOS IC技術,為當時業界最高伏技術;1987年,他也是全球首位於IEDM發表DRAM最詭譎的可靠性問題技術論文,促使業者大幅提升DRAM可靠度,之後領導研發0.6微米CMOS第六代Twin-tub製程技術,部份技術理論迄今仍被廣泛引用。而他於1989年受邀回台出任工研院電子所副所長,帶領工研院團隊執行台灣最大科專計畫─次微米計畫,不但讓台灣具備八吋晶圓產製能力,更成功將台灣推向世界高科技舞台。次微米計畫後衍生成立世界先進公司,成為催化台灣記憶體產業的重要推手。

1999年,盧志遠加入旺宏電子,專注非揮發性記憶體前瞻技術研發,帶領旺宏研發團隊持續在國際重要學術會議如IEDM、ISSCC、VLSI等發表多項次世代記憶體先驅技術,研發實力屢獲全球高度肯定。今年旺宏電子在2017國際電子元件大會IEDM再有四篇論文入選,其中一篇有關揭露嶄新3D NAND記憶晶胞架構的論文,也再次獲選為 “亮點論文”(Highlight Paper),為台灣產學研界唯一獲選的單位。而他所創辦的欣銓科技,證實晶圓級測試為可行的商業模式,更成為尖端半導體生產過程中不可或缺的一環,也獲得美國哈佛大學商學院(HBS)納為推廣教案。

浸淫半導體界逾30年,盧志遠積極鑽研電子元件及材料科技,發表超過 400多篇學術及技術論文,更擁有150餘項國際專利。由於對半導體界的貢獻良多,盧博士獲得許多國內外獎項及榮耀肯定,包括美國電機電子學會IEEE千禧傑出獎章、潘文淵文教基金會研究傑出獎、有科技研發工程師界奧斯卡獎之稱的IEEE Frederik Philips Award、國家最高榮譽科學研究獎項總統科學獎及世界科學院(TWAS)工程科學獎等,更獲得美國物理學會APS Fellow、IEEE Fellow、中華民國科技管理學會院士、工研院院士、台大傑出校友、交大名譽博士等榮銜。



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